美国应用材料公司取得互连技术重要突破-科技世界网
美国应用材料公司取得互连技术重要突破
2014-06-10 16:20:00   来源:科学时报
内容摘要
美国应用材料公司近日宣布推出Endura Volta CVD钴系统,这一新系统可通过提供以CVD为基础的平整衬垫与选择性覆盖层,克服良率极限,帮助用户将铜互连技术推进到28纳米及以下。

美国应用材料公司近日宣布推出Endura Volta CVD钴系统,该系统可以在28纳米节点的逻辑芯片上通过沉积高精度、薄的钴膜而实现铜封装互连。

据了解,该系统有两个加工步骤:第一步是沉积一层平整的薄钴衬垫膜,相对于典型的铜互连工艺,钴的应用可为有限的互连区域填充铜提供更大的空间;第二个步骤是在铜化学机械研磨之后,沉积一层选择性CVD钴覆盖膜,改善接触界面,进而提高器件的可靠性。

应用材料公司执行副总裁兼半导体事业部总经理Randhir Thakur指出:“对于器件生产商来说,芯片中连接着上亿个晶体管线路,连线的性能与可靠性是极其重要的。随着摩尔定律的推进,线路尺寸越来越小,减少影响器件工作的空隙与防止电迁移失效就显得更加必要。应用材料公司的精密材料工程技术所建立的Endura Volta系统,可通过提供以CVD为基础的平整衬垫与选择性覆盖层,克服良率极限,帮助用户将铜互连技术推进到28纳米及以下。”